Силовые Полупроводники Starpower

StarPower Semiconductor Ltd. является одной из ведущих компаний по разработке и производству силовых полу­проводниковых модулей. Компания основана в 2005 г., производственные мощности и центр разработки расположен в Цзясине(Китай). StarPower открыла собственный центр исследований и разработки в Нюрнберге (Германия).
StarPower разрабатывает и производит модули IGBT / MOSFET / IPM / FRD , которые широко применяются в преобразовательной технике в диапазоне мощностей от 0.5 кВт до более, чем 1 МВт. Кроме традиционных полупроводниковых приборов компания также производит приборы на основе карбида кремния (SiC).
Полностью автоматизированные производственная и испытательная линии соответствуют требованиям стандартов ISO 9001, ISO 14001 системы менеджмента качества и TS 16949.

www.starpowereurope.com

 

Модули средней мощности
Модули большой мощности
MOSFET на карбиде кремния (SiC)
 

Vces = 650,1200,1700В
Ic =  50-600А
Vces = 1200,1700В
Ic = 450-3600А

 

Техническая поддержка:power@microem.ru