Силовые полупроводниковые компоненты

Компания МикроЭМ предлагает к вашему выбору широкий спектр силовых полупроводниковых приборов от ведущих мировых производителей: Littelfuse, CRRC, Starpower. В программу поставок входят : IGBT транзисторы в модульном и дискретном исполнении, MOSFET транзисторы в модульном и дискретном исполнении (как Si так и SiC), диоды и тиристоры в модульном и дискретном исполнении.

Основные области применения:
  • Частотные преобразователи
  • Тяговые преобразователи для электротранспорта
  • Вставки постоянного тока
  • Инверторы
  • Мощные ИП (ИБП)

CRRC_logo



Силовые_Полупроводники_CRRC_HV_ModuleCRRC_EV_Module.jpgСиловые_Полупроводники_CRRC_Econodual_Module1


CRRC Corporation Limited — китайская корпорация, крупнейший в мире производитель железнодорожного транспорта, занимающий около половины мирового рынка. В рейтинге Forbes Global 2000 за 2019 год заняла 294-е место среди двух тысяч крупнейших публичных компаний мира.
В корпорацию входит подразделение Zhuzhou CRRC Times Semiconductor Co., Ltd, которое занимается разработкой и производством полупроводников с 1964 года. В 2008 году в состав компании вошел один из крупнейших производителей IGBT модулей для подвижного состава - компания Dynex Semiconductor.
В компании 4 производственных площадки и 2 R&D центра располагающихся в Англии и Китае. На данный момент производятся силовые диоды, тиристоры, IGBT модули. В планах запуск линии по производству SiC приборов.

Компания МикроЭМ является официальным дистрибьютором CRRC и оказывает полную техническую поддержку, импорт и продажи на территории России и стран СНГ.

IGBT модули CRRC Semiconductor



Серия
 Econodual  Primepack  (140;190)х130  EV
U, B
 1200-1700 B
 1200-1700 B   1200-6500 B   800-850 B
I, A
 450-600 A
  650-1400 A   250-6500 A   400-800 A
Работают с драйверами всех известных производителей: Power Integration (Concept), Firstack, InPower, Amantys, и др.

Биполярная продукция представлена следующими приборами:

Биполярные приборы CRRC

Серия
Тиристоры
Прижимные
Диоды
Прижимные
FRd
модуль
U, B
1400-8500 600-8500 1200-6500
I, A 400-7000 410-12010 400-6000

Силовые полупроводники Littelfuse

IXYS.jpg

Компания Littelfuse, основанная в 1927 г., является мировым лидером в разработке и производстве компонентов
и устройств для защиты электрических цепей. В 2012 г. компания открыла свое подразделение по производству
силовых полупроводниковых приборов и инвестирует значительные средства в технологии производства, особенно
в разработку приборов на карбиде кремния.
В 2017 году компания Littelfuse для расширения номенклатуры силовых полупроводников приобрела компанию IXYS,
которая к тому времени имела колоссальный опыт в разработке и поставке силовых полупроводников. В текущую
линейку поставок входят различные приборы как на кремнии в которую входят тиристорные модули, диодные модули,
дискретные MOSFET и IGBT транзисторы; так и на карбид кремнии: диоды шоттки, MOSFET транзисторы.

IGBT модули
Серия/ Корпус
Фото Тип Напряжение, В Ток, А
WB
(152×62×17 мм)
1.jpg полумост 600
1200
1700
600
225; 300; 450
225; 300; 450
D
(108×62×30,5 мм)
2.jpg полумост 600
1200
1700
300; 400
100; 150; 200; 300; 400
100; 150; 200; 300
S
(94×34×30,5 мм)
3.jpg полумост 600
1200
1700
100; 150; 200
50; 75; 100; 105; 150
50; 75; 100
W
(122×62×17 мм)
4.jpg 3-фазный
инверторный
модуль
(6 транзисторов)
600
1200
1700
115; 155
84 ... 233
115
H
(107,5×45×17 мм)
5.jpg 3-фазный
инверторный
модуль
(6 транзисторов)
600
1200

30; 50; 60
30 ... 150
W
(122×62×17 мм)
6.jpg 3-фазный инвер-
торно-выпрями-
тельный модуль
с чоппером
600
1200
1700
65
60 ... 130
53; 80; 115
H
(107,5×45×17 мм)
7.jpg 3-фазный инвер-
торно-выпрями-
тельный модуль
с чоппером
600
1200

25; 35; 50
12 ... 65

Littelfuse предлагает различные технологии дискретных выпрямительных диодов,
MOSFET, IGBT, основанные на требованиях заказчика к напряжению, коммутационной
частоте. Таблица, дающая схематическое представление наших основных
предложений, приведена ниже.

Дискретные компоненты: Диоды Шоттки, Mosfet и IGBT транзисторы

U, В Ifav, А Технология Типы корпусов
Диоды 15…4500 5…300 FRED, HIPerFRED, Sonic
и другие
TO-220, TO-252, TO-247,
SOT-227 и др.
MOSFET -500…4500 2…300 Trench, PolarP3, HIPerFET,
Very High Voltage и другие
TO-220, TO-252, TO-247,
SOT-227 и др.
IGBT 600…4500 33…320 XPT Trench, NPT,
High voltage и другие
TO-220, TO-252, TO-247,
SOT-227 и др.
Прижимные диоды и тиристоры
8.jpg
При объединении компаний в состав Littelfuse также вошло подразделение IXYS Westcode, широко известное разработчикам силового оборудования.
Компания Westcode Semiconductors, основанная в середине 1920-х годов, начала свою деятельность в Лондоне как часть компании Westinghouse Brake & Signal, производящей полупроводники на основе оксида меди. Производство началось на заводе в Чиппенхеме в 1930-х годах, и в течение следующих 30 лет компания разработала продукты на основе селена и германия, прежде чем кремниевые силовые устройства были представлены в 1957 году; технология, используемая до сих пор. Помимо компонентов Westcode широко известна готовыми решениями (сборками) на основе своих компонентов по техническому заданию заказчика.


Тиристоры Диоды
U, В 800-6500 B 800-6500 B
I, А 400-12100 A 485-8800

Силовые полупроводники StarPower

9.jpg   www.starpowereurope.com


StarPower Semiconductor Ltd. является одной из ведущих компаний по разработке и производству силовых полупроводниковых модулей. Компания основана в 2005 г., производственные мощности и центр разработки расположен в Цзясине (Китай). StarPower открыла собственный центр исследований и разработки в Нюрнберге (Германия).
StarPower разрабатывает и производит модули IGBT / MOSFET / IPM / FRD, которые широко применяются в преобразовательной технике в диапазоне мощностей от 0.5 кВт до более чем 1 МВт. Кроме традиционных полупроводниковых приборов компания также производит приборы на основе карбида кремния (SiC).
Полностью автоматизированные производственная и испытательная линии соответствуют требованиям стандартов
ISO 9001, ISO 14001 системы менеджмента качества и TS 16949.

Основные приложения: преобразователи частоты, сварочные аппараты, индукционного нагрева, ИБП, EV/HEV, солнечной/ветровой энергии в диапазоне мощностей от 0,5 кВт до более 1 МВт

Картинка_Подкатегория_Силовые_Полупроводники_Таблица_Биполярные приборы CRRC_справа.jpgКартинка_Подкатегория_Силовые_Полупроводники_Таблица_Starpower_центр.jpgКартинка_Подкатегория_Силовые_Полупроводники_Таблица_Starpower_центр_Справа.jpg

Si IGBT: 34mm 62mm HV
Напряжение 1200-1700В 1200-1700В 1200-1700B
Токи 35-100A 100-400A 300-3600
SiC MOSFET: SOT-227 62mm
Напряжение 1200-1700В 1200-1700В
Токи 35-50А 100-300А

 

Поддержка по продукции

Зарегистрироваться

user-not-authorized
Зарегистрируйтесь, чтобы начать работу на сайте
Сохраняйте спецификации и BOM
Отслеживайте историю заказов и запросов
Получайте поддержку специалистов