Модули IGBT

Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) - это технология транзисторов, сочетающее в себе высокую эффективность и возможности быстрого переключения. IXYS предлагает различные технологии IGBT, оптимизированные для многих топологий, схем и требований в современных применениях силовых полупроводниковых приборов. В качестве руководства по множеству технологий IGBT, предлагаемых IXYS, пожалуйста, обратитесь к следующей таблице для выбора модулей подходящих для ваших применений.

 

Для получения дополнительный информации нажмите на иконку модуля.

 

Корпус модуля Vce, V Ic, A (T=25C) Vce(sat), V Конфигурация
1200 420 1,7      
600

1200

35, 50, 75

17..86

 

1,9..2,5

1,65..1,8

 

 
600

1200

1700

100

85..175

74..150

2,0

1,65..2,2

1,9..2,0

 
600

1200

45, 75, 90

30..175

1,9..2,1

1,65..2,2

 
600

1200

90

65..120

2,5

1,8..3,2

         
1200

1700

85..532

450

1,7..1,8

1,7

 
600

1200

1700

170, 225

160..312

150

2,0

1,65..2,2

1,9

 
  650

1200

1700

490

250..700

315, 435

1,65

1,65..1,8

2,1

           
600

1200

1700

100..300

140..200

75..150

1,45

1,7

2,0

         
600

1200

1700

400, 500

290..580

150..400

1,45

1,7

2,0

         

Не нашли что искали?

 

Задайте вопрос нам, описав приложение и требуемые параметры: power@microem.ru