BiMOSFET

IXYS BiMOSFET - это устройства, в которых объединены сильные стороны MOSFET и IGBT.
BiMOSFET-транзисторы имеют монолитный собственный диод, который может уменьшить количество компонентов во многих приложениях.
Vce, V Ic, T = 25C, A Vce(sat), V Qg, nC
BiMOSFET 16/17/25 1600..2500 5,7..200 2,5..6,2 26..400
BiMOSFET 30/36 3000..3600 26..130 2,2..3,2 45..450