Дискретные диоды

Diodes for High Switching Frequencies
Fast Recovery Epitaxial Diodes (HiPerFRED, FRED) and FRD (SONIC)

Современные силовые ключи (IGBT, MOSFET, BJT, GTO) для различных применений в электронике будут показывать хорошие показатели только в случае применения  соответствующих обратных диодов.

При увеличении частоты переключения правильное функционирование и эффективность силового переключателя, помимо потерь на проводимость, определяется поведением выключения диода (характеризуется Qrr, IRM и trr - рис. 1)

Характеристика обратного тока после пикового обратного тока IRM является еще одним очень важным свойством. Наклон затухающего обратного тока dirr/dt определяется проектными параметрами (технология и диффузия диодных чипов). В цепи этот наклон тока в сочетании с паразитными индуктивностями (например, соединительными проводами) вызывает скачки перенапряжения и высокочастотные помехи. Чем более высокая характеристика диода dirr/dt («жесткое восстановление» или «отрыв»), тем выше получаемое дополнительное напряжение как для диода, так и для параллельного ключа. Медленное затухание обратного тока («мягкое восстановление») является наиболее желательной характеристикой, которая рассчитана на все диоды. Широкий диапазон доступных блокирующих напряжений позволяет применять эти диоды в качестве выходных выпрямителей в импульсных источниках питания (SMPS), а также в качестве защитных и обратных диодов для силовых выключателей в инверторах.

Рис. 1.

Rectifier Diodes

Диоды серии DS (общий анод) и серии DSI (общий катод) в основном используются для выпрямления сетевых токов частотой 50 или 60 Гц. Дискретные диоды в пластиковых и металлических корпусах, а также различные диодные мосты доступны для стандартных линейных напряжений (от 110 В до 690 В переменного тока).