SiC полупроводники

Приборы на основе карбида кремния (SiC) имеют ряд преимуществ по сравнению

с приборами, выполненными из кремния, в частности, более быстрое переключение

и малые динамические потери, а также слабую зависимость параметров от температуры.

Применение SiC приборов позволяет повысить рабочую частоту, увеличить надежность

устройства, делает конечное устройство более энергоэффективным и меньшим по габаритам и массе.

 

SiC диоды Littelfuse/IXYS

www.littelfuse.com

 

Корпус Напряжение

V RRM, В

Ток

I F,А

Варианты

исполнений схем

TO-220AC

 

650,1200 18 -45
TO-247/ISO

 

650,1200 18/36-55/110

 

 

ТО-252 650 6-20
TO-263 650,1200 6-20
SOT-227

 

650,1200 2x22-2x80

45/90-110/220

 

 

SMPD-B

 

650,1200 6-16

 

 

SiC MOSFET Littelfuse/IXYS

 

 корпус VDS, В ID , A Варианты исполнения схем
SMPD-B

 

 

1700 22-70
TO-247 1200 22-100
TO-268AA

 

1200,1700 27-170
SOT-227

 

900,1700

 

27-170

SiC MOSFET StarPower

www.starpowereurope.com

SOT-227 1200 25,35,50
C2.0 (62 мм) 1200,1700 120,200,250,300,400
B3.0 1200 300,400

Драйверы для SiC приборов AgileSwitch

www.agileswitch.com

Интеллектуальные программируемые драйверы AgileSwitch, разработанные специально  для полупроводников на SiC, благодаря запатентованной технологии «augmented switch» (расширенное переключение) позволяют уменьшить потери при выключении до 50%, уменьшить перенапряжение при выключении на 80%, определить короткое замыкание на 20% быстрее, чем традиционные драйверы.

Совместимы с SiC приборами любых производителей.

Серия 2ASC (ядро)

 

 

1200 В, 3Вт/10А  на канал

До 150 кГц

1700 В, 5Вт/20А на канал

До 150 кГцД

Cерия 62М1 1200 В, 1700 В

До 200 кГц

2x10Вт

Серия EDEM3 1200 В

До 100 кГц

Техническая поддержка по продукции: power@microem.ru