Приборы на основе карбида кремния (SiC) имеют ряд преимуществ по сравнению
с приборами, выполненными из кремния, в частности, более быстрое переключение
и малые динамические потери, а также слабую зависимость параметров от температуры.
Применение SiC приборов позволяет повысить рабочую частоту, увеличить надежность
устройства, делает конечное устройство более энергоэффективным и меньшим по габаритам и массе.
 |
SiC диоды Littelfuse/IXYS
www.littelfuse.com
|
| Корпус |
|
Напряжение
V RRM, В |
Ток
I F,А |
Варианты
исполнений схем |
| TO-220AC
|
 |
650,1200 |
18 -45 |
 |
| TO-247/ISO
|
 |
650,1200 |
18/36-55/110
|
|
| ТО-252 |
 |
650 |
6-20 |
|
| TO-263 |
 |
650,1200 |
6-20 |
|
| SOT-227
|
 |
650,1200 |
2x22-2x80
45/90-110/220
|
|
| SMPD-B
|
 |
650,1200 |
6-16
|
|
SiC MOSFET Littelfuse/IXYS
|
| корпус |
|
VDS, В |
ID , A |
Варианты исполнения схем |
| SMPD-B
|
|
1700 |
22-70 |
 |
 |
 |
| TO-247 |
 |
1200 |
22-100 |
 |
| TO-268AA
|
 |
1200,1700 |
27-170 |
|
| SOT-227
|
 |
900,1700
|
27-170 |
|
|
SiC MOSFET StarPower
www.starpowereurope.com |
| SOT-227 |
 |
1200 |
25,35,50 |
|
 |
 |
| C2.0 (62 мм) |
 |
1200,1700 |
120,200,250,300,400 |
 |
| B3.0 |
 |
1200 |
300,400 |
 |
 |
Драйверы для SiC приборов AgileSwitch
|
| Интеллектуальные программируемые драйверы AgileSwitch, разработанные специально для полупроводников на SiC, благодаря запатентованной технологии «augmented switch» (расширенное переключение) позволяют уменьшить потери при выключении до 50%, уменьшить перенапряжение при выключении на 80%, определить короткое замыкание на 20% быстрее, чем традиционные драйверы.
Совместимы с SiC приборами любых производителей. |
| Серия 2ASC (ядро)
|
 |
1200 В, 3Вт/10А на канал
До 150 кГц
1700 В, 5Вт/20А на канал
До 150 кГцД |
| Cерия 62М1 |
 |
1200 В, 1700 В
До 200 кГц
2x10Вт |
| Серия EDEM3 |
 |
1200 В
До 100 кГц |
Техническая поддержка по продукции: power@microem.ru
