IGBT модули

IGBT (БТИЗ) сравнительно молодая технология, которая позволила совместить преимущества биполярных и полевых транзисторов. В качестве основных достоинств можно выделить малые затраты энергии на управление, малые потери в открытом состоянии, высокая скорость переключения и др. Также следует отметить, что в отличие от тиристоров, IGBT могут работать на частотах до 100 кГц.

NSMASM

Основные применения:

  • Частотные преобразователи
  • Тяговые преобразователи для электротранспорта
  • Вставки постоянного тока
  • Инверторы
  • Мощные ИП (ИБП)
  • Сварочная техника

Применяемые технологии:

Dynex Semiconductor разрабатывает и производит IGBT модули на основе своих кристаллов, которые выполнены по технологиям: NPT, SPT и Dmos+. Технология Dmos+ является собственной разработкой Dynex Semiconductor и сравнима по характеристикам с технологиями Trench gate (Infineon) и SPT+ (ABB).

Кристаллы Dmos+ используются в высоковольтных IGBT модулях 3300 В, 4500 В и 6500 В и обеспечивают низкие статические и динамические потери.

Продукты:

Dynex Semiconductor выпускает IGBT модули в стандартных индустриальных корпусах на напряжения 1200 В, 1700 В, 3300 В, 4500 В, 6500 В

 

Типовые схемы модулей:

  • Одиночный транзистор
  • Чоппер
  • Полумост
  • Двунаправленный ключ
  • Двойная

 

1200 В

single

 

Одиночный ключ

VCES, V Ic при Tc,

A      °C

IC(PK), A VCE(SAT),V ESW, 125°C

mJ

Rth(j-c)

(°C/kW)

Размер модуля Напряж. изоляции, кВ
DIM800FSM12-A 1200 800 85 1600 2,2 280 18 140x130 4
DIM1200FSM12-A 1200 1200 85 2400 2,2 400 12 140x130 4
DIM1600FSM12-A 1200 1600 85 3200 2,2 500 9 140x130 4
DIM1800ESM12-A 1200 1800 85 3600 2,2 570 8 190x140 4
DIM2400ESM12-A 1200 2400 85 4800 2.2 800 6 190x140 4
Chopper

 

Чоппер

VCES, V Ic при Tc,

A      °C

IC(PK), A VCE(SAT),V ESW, 125°C

mJ

Rth(j-c)

(°C/kW)

Размер модуля Напряж. изоляции, кВ
DIM800DCM12-A 1200 800 85 1600 2,2 280 18 140x130 4
dual

 

Двойной ключ

VCES, V Ic при Tc,

A     °C

IC(PK), A VCE(SAT),V ESW, 125°C

mJ

Rth(j-c)

(°C/kW)

Размер модуля Напряж. изоляции, кВ
DIM400DDM12-A 1200 400 85 800 2,2 120 36 140х130 4
DIM600DDM12-A 1200 600 85 1200 2,2 200 24 140x130 4
DIM800DDM12-A 1200 800 85 1600 2,2 280 18 140x130 4

 

1700 В
single

 

Одиночный ключ

VCES, V Ic при Tc,

A       °C

IC(PK), A VCE(SAT),V ESW, 125°C

mJ

Rth(j-c)

(°C/kW)

Размер модуля Напряж. изоляции, кВ
DIM800FSM17-A 1700 800 75 1600 2,7 700 18 140x130 4
DIM1200FSM17-A 1700 1200 85 2400 2,7 1000 12 140x130 4
DIM1600FSM17-A 1700 1600 75 3200 2,7 1250 9 190x140 4
DIM2400ESM17-A 1700 2400 75 4800 2,7 1950 6 190x140 4
Chopper

 

Чоппер

VCES, V Ic при Tc,

A            °C

IC(PK), A VCE(SAT),V ESW, 125°C

mJ

Rth(j-c)

(°C/kW)

Размер модуля

Напряж. изоляции, кВ

DIM400DCM17-A 1700 400 75 800 2,7 350 36 140x130 4
DIM600DCM17-A 1700 600 75 1200 2,7 620 24 140x130 4
DIM800DCM17-A 1700 800 75 1600 2,7 785 18 140x130 4
DIM1600ECM17-A 1700 1600 75 3200 2,7 1290 9 190х140 4
dual

 

Двойной ключ

VCES, V Ic при Tc,

A      °C

IC(PK), A VCE(SAT),V ESW, 125°C

mJ

Rth(j-c)

(°C/kW)

Размер модуля

Напряж. изоляции, кВ

DIM400DDM17-A 1700 400 75 800 2,7 350 36 140x130 4
DIM600DDM17-A 1700 600 75 1200 2,7 620 24 140x130 4
DIM800DDM17-A 1700 800 75 1600 2,7 700 18 140x130

4

Hbridge

 

Полумост

VCES, V Ic при Tc,

A      °C

IC(PK), A VCE(SAT),V ESW, 125°C

mJ

Rth(j-c)

(°C/kW)

Размер модуля

Напряж. изоляции, кВ

DIM400PHM17-A 1700 400 75 800 2,7 350 36 140x73

4

 

Двунаправленный ключ

VCES, V Ic при Tc,

A      °C

IC(PK), A VCE(SAT),V ESW, 125°C

mJ

Rth(j-c)

(°C/kW)

Размер модуля

Напряж. изоляции, кВ

DIM400PBM17-A ±1700 400 75 800 4,9 350 36 140x73

4

 

3300 В
single

 

Одиночный ключ

VCES, V Ic при Tc,

A      °C

IC(PK), A VCE(SAT),V ESW, 125°C

mJ

Rth(j-c)

(°C/kW)

Размер модуля

Напряж. изоляции, кВ

DIM400NSM33-F 3300 400 90 800 2,8 1470 24 140x130 6
DIM800NSM33-F 3300 800 90 1600 2,8 2950 12 140x130 6
DIM800XSM33-F 3300 800 90 1600 2,8 2950 12 140x130 6
DIM1000NSM33-TS 3300 1000 110 2000 2,2 4150 12 140x130 6
DIM1000NSM33-TL 3300 1000 115 2000 2,0 4800 12 140x130 6
DIM1000XSM33-TL001 3300 1000 115 2000 2,0 4800 12 140x130 10,2
DIM1200ESM33-F 3300 1200 90 2400 2,8 4400 8 190x140 6
DIM1500ESM33-TS 3300 1500 110 3000 2,2 6200 8 190x140 6
DIM1500ESM33-TL 3300 1500 115 3000 2,0 7200 8 190x140 6
DIM1500ASM33-TS001 3300 1500 110 3000 2,2 6200 8 190x140 10,2
DIM1500ASM33-TL001 3300 1500 115 3000 2,0 7200 8 190x140 10,2
Chopper

 

Чоппер

VCES, V Ic при Tc,

A        °C

IC(PK), A VCE(SAT),V ESW, 125°C

mJ

Rth(j-c)

(°C/kW)

Размер модуля Напряж. изоляции, кВ
DIM200PKM33-F 3300 200 90 400 2,8 655 48 140x73 6
DIM200PLM33-F 3300 200 90 400 2,8 655 48 140x73 6
DIM250PLM33-TS 3300 250 110 500 2,2 1050 48 140x73 6
DIM250PKM33-TS 3300 250 110 500 2,2 1050 48 140x73 6
DIM400GCM33-F 3300 400 90 800 2,8 1470 24 140x130 6
DIM400XCM33-F 3300 400 90 800 2,8 1470 24 140x130 6
DIM800ECM33-F 3300 800 90 1600 2,8 2950 12 190x140 6
DIM500GCM33-TS 3300 500 110 1000 2,2 2100 24 140x130 6
DIM1000ECM33-TS 3300 1000 110 2000 2,2 4150 12 190x140 6
DIM1000ECM33-TL 3300 1000 115 2000 2,0 4800 12 190x140 6
dual

 

Двойной ключ

VCES, V Ic при Tc,

A      °C

IC(PK), A VCE(SAT),V ESW, 125°C

mJ

Rth(j-c)

(°C/kW)

Размер модуля

Напряж. изоляции, кВ

DIM400GDM33-F 3300 400 90 800 2,8 1470 24 140x130 6
DIM500GDM33-TS 3300 500 110 1000 2,2 2100 24 140x130 6
Hbridge

 

Полумост

VCES, V Ic при Tc,

A       °C

IC(PK), A VCE(SAT),V ESW, 125°C

mJ

Rth(j-c)

(°C/kW)

Размер модуля

Напряж. изоляции, кВ

DIM100PHM33-F 3300 100 90 200 2,8 335 96 140x73 6
DIM200PHM33-F 3300 200 90 400 2,8 655 48 140x73 6
DIM250PHM33-TS 3300 250 110 500 2,2 1050 48 140x73 6

 

4500 В

single

 

Одиночный ключ

VCES, V Ic при Tc,

A      °C

IC(PK), A VCE(SAT),V ESW, 125°C

mJ

Rth(j-c)

(°C/kW)

Размер модуля

Напряж. изоляции, кВ

DIM800XSM45-TS001 4500 800 90 1600 2,7 7000 12 140x130 10,2
DIM800XSM45-TS 4500 800 90 1600 2,7 7000 12 140x130 7,4
DIM1200ASM45-TS001 4500 1200 90 2400 2,7 10500 8 190x140 10,2
DIM1200ASM45-TS 4500 120 90 2400 2,7 10500 8 190x140 7,4
Chopper

 

Чоппер

VCES, V Ic при Tc,

A      °C

IC(PK), A VCE(SAT),V ESW, 125°C

mJ

Rth(j-c)

(°C/kW)

Размер модуля

Напряж. изоляции, кВ

DIM400XCM45-TS001 4500 400 90 800 2,7 3500 24 140x130

10,2

DIM400XCM45-TS 4500 400 90 800 2,7 3500 24 140x130

7,4

 

6500 В
single

 

Одиночный ключ

VCES, V Ic при Tc,

A      °C

IC(PK), A VCE(SAT),V ESW, 125°C

mJ

Rth(j-c)

(°C/kW)

Размер модуля

Напряж. изоляции, кВ

DIM500XSM65-TS 6500 500 90 1000 3,0 7000 12 140x130 10,2
DIM750ASM65-TS 6500 750 90 1500 3,0 10300 8 190x140 10,2
Chopper

 

Чоппер

VCES, V Ic при Tc,

A      °C

IC(PK), A VCE(SAT),V ESW, 125°C

mJ

Rth(j-c)

(°C/kW)

Размер модуля Напряж. изоляции, кВ
DIM250XCM45-TS 6500 250 90 500 3,0 3500 24 140x130 10,2
DIM500ACM45-TS 6500 500 90 1000 3,0 7000 12 190x140 10,2

Получить техническую консультацию, заказать образцы

 

Сопутствующие товары:

Охладители