SiC диоды Шоттки

Диоды на основе карбида кремния (SiC) имеют ряд преимуществ по сравнению с диодами, выполненными из кремния. Одним из этих преимуществ является более быстрое переключение и малые динамические потери, а также слабая зависимость параметров от температуры. Применение SiC диодов позволяет повысить рабочую частоту, увеличить надежность устройства, делает конечное устройство более энергоэффективным, позволяет уменьшить габариты устройства.

SiC_D

 

Преимущества:

 

  • Высокая рабочая температура (Tj = 175 C)
  • Низкие потери на переключение
  • Возможность работы на высоких частотах
  • Высокая устойчивость к перегрузкам
  • Нет необходимости использования снабберных цепей

 

Применение:

 

  • Повышающий преобразователь в корректорах коэффициента мощности (ККМ)
  • Частотные преобразователи
  • Инверторы для солнечной энергетики
  • Антипараллельные диоды для IGBT транзисторов
  • Импульсные источники питания

 

Компания Littelfuse производит SiC диоды Шоттки на напряжения 650 В и 1200 В в корпусах TO-220 и TO-247.

 

Продукты:

 

LFUSCD04065A

TO-220

Vrrm = 650 В

If = 4 А

LFUSCD06065A

TO-220

Vrrm = 650 В

If = 6 А

LFUSCD08065A

TO-220

Vrrm = 650 В

If = 8 А

LFUSCD10065A

TO-220

Vrrm = 650 В

If = 10 А

_____________________________________________________________________________________________________


LFUSCD16065B

TO-247

Vrrm = 650 В

If  = 16 А

LFUSCD20065B

TO-247

Vrrm = 650 В

If = 20 А

LFUSCD05120A

TO-220

Vrrm = 1200 В

If = 5 А

LFUSCD10120A

TO-220

Vrrm = 1200 В

If = 10 А

_____________________________________________________________________________________________________

LFUSCD15120A

TO-220

Vrrm = 1200 В

If = 15 А

LFUSCD20120B

TO-247

Vrrm = 1200 В

If = 20 А

LFUSCD30120B

TO-247

Vrrm = 1200 В

If = 30 А