Конденсаторы для цепей защиты

FPG

Технология управляемого самовосстановления

  • Диэлектрик - полипропилен
  • Высокое значение импульсного тока
  • Для снижения последовательной индуктивности и надёжного крепления предусмотрено осевое расположение выводов.

Характеристики

  • Номинальная ёмкость 0,12 … 6 мкФ
  • Допуск ёмкости ±5%
  • Рабочее напряжение Vn dc 800 Вdc … 3000 Вdc
  • Максимальное импульсное напряжение Vpeak 1200 … 1400 В
  • Допустимое перенапряжение Vs(10 сек/день) 1500 … 4600 В
  • Номинальное эффективное напряжение Vnrms 500 …1400 В
  • Паразитная индуктивность 10 нГн
  • Максимальный ток Irms до 80 А
  • Импульсный ток I2t макс.до 85 А2хсек
  • Макс. температура корпуса 85°C
  • Рабочая температура -40°С … +85°С
  • Тестовое напряжение между выводами Vs в течение 10 сек
  • Тестовое напряжение между выводами и корпусом 4 кВ rms при 25°С на 50 Гц в течение 1 мин.

Область использования

  • Защита GTO
  • Подстройка на средних частотах

FPX

Технология управляемого самовосстановления

  • Диэлектрик - полипропилен
  • Высокое значение импульсного тока
  • Для снижения последовательной индуктивности и надёжного крепления предусмотрено осевое расположение выводов.

Характеристики

  • Номинальная ёмкость 0,5 … 6 мкФ
  • Допуск ёмкости ±5%
  • Рабочее напряжение Vn dc 1000 Вdc … 3000 Вdc
  • Максимальное импульсное напряжение Vpeak 1600 … 4000 В
  • Допустимое перенапряжение Vs(10 сек/день) 2000 … 4600 В
  • Номинальное эффективное напряжение Vnrms 560 …1400 В
  • Паразитная индуктивность 5 … 20 нГн
  • Максимальный ток Irms до 160 А
  • Импульсный ток I2t макс.до 729 А2хсек
  • Макс. температура корпуса 85°C
  • Рабочая температура -40°С … +85°С
  • Тестовое напряжение между выводами Vs в течение 10 сек
  • Тестовое напряжение между выводами и корпусом 4 кВ rms при 25°С на 50 Гц в течение 1 мин.

Область использования

  • Защита GTO
  • Подстройка на средних частотах
  • Снабберы

FSB

Технология управляемого самовосстановления

  • Диэлектрик - полипропилен
  • Высокое значение импульсного тока
  • Монтаж как на печатную плату, так и непосредственно на IGBT модуль

Характеристики

  • Номинальная ёмкость 0,10 … 2,5 мкФ
  • Допуск ёмкости ±5% для FSB1..5
    ±10% для FSB6
  • Рабочее напряжение Vn dc 850 Вdc … 2000 Вdc
  • Паразитная индуктивность < 25 нГн
  • Максимальный ток Irms до 28 А
  • Импульсный ток I2t макс.до 1.69 А2хсек
  • Макс. температура корпуса 85°C
  • Рабочая температура -40°С … +85°С
  • Тестовое напряжение между выводами 1.6 Vndc в течение 10 сек
  • Тестовое напряжение между выводами и корпусом 3 кВ rms при 25°С на 50 Гц в течение 1 мин.

Область использования

  • IGBT снабберы
  • Управление приводами двигателей
  • Диодные снабберы

FSV

Технология управляемого самовосстановления

Характеристики

  • Номинальная ёмкость 0,010 … 0.15 мкФ
  • Допуск ёмкости ±10%
  • Рабочее напряжение Vn dc 600 Вdc … 2000 Вdc
  • Рабочее напряжение Vn ac 300 Вrms … 650 Вrms
  • Паразитная индуктивность < 25 нГн
  • Максимальный ток Irms до 23 А
  • Высокое значение dV/dt 1000 В/мксек
  • Макс. температура корпуса 85°C
  • Рабочая температура -40°С … +85°С
  • Тестовое напряжение между выводами при 25°С 1.5Vndc в течение 10 сек

Область использования

  • Защита полупроводниковых приборов
  • Развязка по ВЧ
  • Подстройка частоты

Каталог по конденсаторам средней мощности (1,99 МБ)