Метка: very high voltage

Very High Voltage

Very High Voltage (2500 V - 4000 V) IGBT IXYS предлагает уникальный набор дискретных IGBT напряжением 2500 В, 3000 В и 4000 В с номинальным током коллектора от 2 до 75 А (TC = 110˚C). Номинальные значения напряжения и тока этих устройств в сочетании с упрощенным управлением затвором MOS позволяют разработчику системы значительно снизить сложность (читать далее...)

Дискретные MOSFET

Металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор (МОП-транзистор) - это транзистор,который используется для управления переключением высоких частот силовых электронных систем. IXYS предлагает различные технологии MOSFET, основанные на требованиях заказчика к напряжению, коммутации и частоты. Таблица, дающая схематическое представление наших основных предложений MOSFET, приведена ниже: Trench/Trench2 Power Polar/PolarP2/PolarP3 Power X-Class Power Q3-Class HiPerFET Extended FBSOA Linear Power Depletion-Mode (normally (читать далее...)