Метка: SiC MOSFET

SiC полупроводники

Приборы на основе карбида кремния (SiC) имеют ряд преимуществ по сравнению с приборами, выполненными из кремния, в частности, более быстрое переключение и малые динамические потери, а также слабую зависимость параметров от температуры. Применение SiC приборов позволяет повысить рабочую частоту, увеличить надежность устройства, делает конечное устройство более энергоэффективным и меньшим по габаритам и массе. SiC (читать далее...)