Метка: SiC диод

SiC полупроводники

Приборы на основе карбида кремния (SiC) имеют ряд преимуществ по сравнению с приборами, выполненными из кремния, в частности, более быстрое переключение и малые динамические потери, а также слабую зависимость параметров от температуры. Применение SiC приборов позволяет повысить рабочую частоту, увеличить надежность устройства, делает конечное устройство более энергоэффективным и меньшим по габаритам и массе. SiC (читать далее...)

SiC диоды Шоттки

Диоды на основе карбида кремния (SiC) имеют ряд преимуществ по сравнению с диодами, выполненными из кремния. Одним из этих преимуществ является более быстрое переключение и малые динамические потери, а также слабая зависимость параметров от температуры. Применение SiC диодов позволяет повысить рабочую частоту, увеличить надежность устройства, делает конечное устройство более энергоэффективным, позволяет уменьшить габариты устройства. (читать далее...)