Метка: MOSFET

Компоненты силовой электроники

Полный спектр полупроводниковых приборов, включая решения на карбиде кремния (SiC). Мощные пленочные конденсаторы и силовые резисторы с воздушным и жидкостным охлаждением. Ламинированные шины. Датчики тока и напряжения. Компания МикроЭМ поставляет широкий спектр компонентов для преобразовательной техники, использование которых позволяют разработать и произвести устройства мощностью от 1 кВт до десятков МВт. Наши инженеры и инженеры наших (читать далее...)

Силовые Полупроводники Starpower

StarPower Semiconductor Ltd. является одной из ведущих компаний по разработке и производству силовых полу проводниковых модулей. Компания основана в 2005 г., производственные мощности и центр разработки расположен в Цзясине(Китай). StarPower открыла собственный центр исследований и разработки в Нюрнберге (Германия). StarPower разрабатывает и производит модули IGBT / MOSFET / IPM / FRD , которые широко применяются в (читать далее...)

SiC полупроводники

Приборы на основе карбида кремния (SiC) имеют ряд преимуществ по сравнению с приборами, выполненными из кремния, в частности, более быстрое переключение и малые динамические потери, а также слабую зависимость параметров от температуры. Применение SiC приборов позволяет повысить рабочую частоту, увеличить надежность устройства, делает конечное устройство более энергоэффективным и меньшим по габаритам и массе. SiC (читать далее...)

Very High Voltage Power

IXYS Very High Voltage Power MOSFET (VHV) специально разработаны для удовлетворения приложений с быстрым переключением, требующих блокирующих возможностей от 2,5 кВ до 4,5 кВ. Эти VHV Power MOSFET также идеально подходят для параллельной работы благодаря положительному температурному коэффициенту их сопротивления в рабочем состоянии. Параллельная работа с этими устройствами обеспечивает более экономичное решение, чем использование последовательно (читать далее...)

TrenchP P-Channel Power

В этом семействе устройств P-Channel используются технологические достижения, основанные на надежной конструкции ячеек Trench IXYS, которые используются в широком ассортименте признанных в отрасли силовых устройств. Они имеют сверхнизкую RDS (вкл.), Минимизируя потери проводимости и способствуя повышению эксплуатационной и тепловой эффективности. TrenchP P-Channel Power подходят для коммутаций "высокого уровня", при котором можно использовать простую схему возбуждения, (читать далее...)

PolarP P-Channel Power

В технологической платформе IXYS Polar, используемой в MOSFET PolarP™ P-channel используется запатентованная конструкция ячейки, которая улучшает общую эффективность и производительность устройства. Эта технологическая платформа снижает сопротивление в открытом состоянии на целых 30% и заряд затвора на 40% по сравнению с устаревшими аналогами. C такими низкими сопротивлениями на уровне состояния эти устройства предлагают низкие потери проводимости (читать далее...)

Extended FBSOA Linear Power

Extended FBSOA Linear Power - это класс устойчивых силовых МОП-транзисторов, специально предназначенных для приложений, которые требуют мощных полевых МОП-транзисторов для работы в их текущей области насыщения. Эти новые устройства характеризуются низким статическим стоком к сопротивлению источника и обеспечивают беспрецедентную производительность и надежность в приложениях с контролируемым выходным током. Типичные приложения, которые выигрывают от этого нового (читать далее...)

Q3-Class HiPerFET

МОП-транзисторы HiPerFET™ класса Q3 (обозначенные суффиксной буквой Q3) являются прямым результатом революционно новой конструкции микросхемы, которая уменьшает общий заряд затвора МОП-транзисторов (Qg) и емкость Миллера (Crss), сохраняя при этом прочность и стойкость, и быстродействующий внутренний диод из текущей линейки продуктов HiPerFET™. Результатом является полевой МОП-транзистор с резко улучшенной эффективностью переключения, что позволяет работать на более (читать далее...)

X-Class Power

X-Class Power (Ultra Junction) Эти устройства разработаны с использованием принципа компенсации заряда и запатентованной технологии процесса, что приводит к силовым МОП-транзисторам со значительно сниженным сопротивлением RDS (вкл) и зарядом затвора Qg. Они также показывают превосходную характеристику dv/dt. Эти полевые МОП-транзисторы, разработанные для таких применений, как импульсные и резонансные источники питания, преобразователи постоянного тока, схемы (читать далее...)

Polar/PolarP2/PolarP3 Power

Polar™ Power MOSFETs Полярные МОП-транзисторы (IXT ..) имеют запатентованную конструкцию и процесс, в результате чего МОП-транзистор имеет 30% снижение RDS (вкл) на единицу площади и снижение заряда затвора. IXYS также уменьшил толщину пластины, что существенно снижает тепловое сопротивление. Сочетание более низкого RDS (вкл.), низкого Qg заряда затвора и более высокой способности рассеивания мощности привело к (читать далее...)