Метка: карбид кремния

Компоненты силовой электроники

Полный спектр полупроводниковых приборов, включая решения на карбиде кремния (SiC). Мощные пленочные конденсаторы и силовые резисторы с воздушным и жидкостным охлаждением. Ламинированные шины. Датчики тока и напряжения. Компания МикроЭМ поставляет широкий спектр компонентов для преобразовательной техники, использование которых позволяют разработать и произвести устройства мощностью от 1 кВт до десятков МВт. Наши инженеры и инженеры наших (читать далее...)

Силовые Полупроводники Starpower

StarPower Semiconductor Ltd. является одной из ведущих компаний по разработке и производству силовых полу проводниковых модулей. Компания основана в 2005 г., производственные мощности и центр разработки расположен в Цзясине(Китай). StarPower открыла собственный центр исследований и разработки в Нюрнберге (Германия). StarPower разрабатывает и производит модули IGBT / MOSFET / IPM / FRD , которые широко применяются в (читать далее...)

SiC полупроводники

Приборы на основе карбида кремния (SiC) имеют ряд преимуществ по сравнению с приборами, выполненными из кремния, в частности, более быстрое переключение и малые динамические потери, а также слабую зависимость параметров от температуры. Применение SiC приборов позволяет повысить рабочую частоту, увеличить надежность устройства, делает конечное устройство более энергоэффективным и меньшим по габаритам и массе. SiC (читать далее...)