Метка: IGBT

Модули IGBT

Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) - это технология транзисторов, сочетающее в себе высокую эффективность и возможности быстрого переключения. IXYS предлагает различные технологии IGBT, оптимизированные для многих топологий, схем и требований в современных применениях силовых полупроводниковых приборов. В качестве руководства по множеству технологий IGBT, предлагаемых IXYS, пожалуйста, обратитесь к следующей таблице для выбора модулей подходящих (читать далее...)

Компоненты силовой электроники

Полный спектр полупроводниковых приборов, включая решения на карбиде кремния (SiC). Мощные пленочные конденсаторы и силовые резисторы с воздушным и жидкостным охлаждением. Ламинированные шины. Датчики тока и напряжения. Компания МикроЭМ поставляет широкий спектр компонентов для преобразовательной техники, использование которых позволяют разработать и произвести устройства мощностью от 1 кВт до десятков МВт. Наши инженеры и инженеры наших (читать далее...)

Прижимные IGBT

Являясь пионером в технологии Press-Pack IGBT, мы можем предложить ряд ведущих в своем классе устройств с номинальным напряжением 1,7 кВ (линия постоянного тока 900 В), 2,5 кВ (линия постоянного тока 1,25 кВ), 4,5 кВ (линия постоянного тока 2,8 кВ). и 6,5 кВ (3,6 кВ постоянного тока). Конструкция этих устройств полностью свободна от проволочных и паяных (читать далее...)

Силовые Полупроводники Starpower

StarPower Semiconductor Ltd. является одной из ведущих компаний по разработке и производству силовых полу проводниковых модулей. Компания основана в 2005 г., производственные мощности и центр разработки расположен в Цзясине(Китай). StarPower открыла собственный центр исследований и разработки в Нюрнберге (Германия). StarPower разрабатывает и производит модули IGBT / MOSFET / IPM / FRD , которые широко применяются в (читать далее...)

Very High Voltage

Very High Voltage (2500 V - 4000 V) IGBT IXYS предлагает уникальный набор дискретных IGBT напряжением 2500 В, 3000 В и 4000 В с номинальным током коллектора от 2 до 75 А (TC = 110˚C). Номинальные значения напряжения и тока этих устройств в сочетании с упрощенным управлением затвором MOS позволяют разработчику системы значительно снизить сложность (читать далее...)

Ignition IGBT

Littelfuse предлагает широкий ассортимент высокоэффективных Ignition IGBT для легковых автомобилей и мотоциклов с бензиновым двигателем. Кроме того, компания Littelfuse имеет большой опыт работы с защитными устройствами, что гарантирует, что мы сможем удовлетворить ваши потребности в надежных компонентах соответствующих автомобильным стандартам. IGBT Littelfuse Ignition управляют и контролируют ток через катушку для точного генерирования искры. Они содержат (читать далее...)

XPT Planar

Xtreme Light Punch Through (XPT™) Planar IGBTs являются чрезвычайно надежной технологической платформой IGBT, которая идеально подходит для критически важных приложений, требующих низкой проводимости и низких потерь на переключение с возможностью выдержать короткое замыкание 10 мкс. Либо дискретные, либо совместно со сверхбыстрым мягко восстанавливающемся Sonic диодом IXYS XPT IGBT имеют более низкое напряжение насыщения Vce (sat) (читать далее...)

Дискретные IGBT

Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) - это технология транзисторов, сочетающее в себе высокую эффективность и возможности быстрого переключения. IXYS предлагает различные технологии IGBT, оптимизированные для многих топологий, схем и требований в современных применениях силовых полупроводниковых приборов. В качестве руководства по множеству технологий IGBT, предлагаемых IXYS, пожалуйста, обратитесь к следующим характеристикам. Vce (sat) - это (читать далее...)

SiC полупроводники

Приборы на основе карбида кремния (SiC) имеют ряд преимуществ по сравнению с приборами, выполненными из кремния, в частности, более быстрое переключение и малые динамические потери, а также слабую зависимость параметров от температуры. Применение SiC приборов позволяет повысить рабочую частоту, увеличить надежность устройства, делает конечное устройство более энергоэффективным и меньшим по габаритам и массе. SiC (читать далее...)

Dynex Semiconductor – теперь полностью CRRC Times Semiconductor

Dynex Semiconductors Ltd -ведущий мировой производитель силовых полупроводниковых устройств. Компания существует с 1956 г. В 2008 году CRRC Times Semiconductor приобрела 75% акций английской компании Dynex для развития направления IGBT модулей для подвижного состава. С 2019 года компания Dynex полностью вошла в состав CRRC Time Semiconductor. Продукция компании CRRC Times Semiconductor широко используется (читать далее...)