Метка: discrete

Дискретные IGBT

Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) - это технология транзисторов, сочетающее в себе высокую эффективность и возможности быстрого переключения. IXYS предлагает различные технологии IGBT, оптимизированные для многих топологий, схем и требований в современных применениях силовых полупроводниковых приборов. В качестве руководства по множеству технологий IGBT, предлагаемых IXYS, пожалуйста, обратитесь к следующим характеристикам. Vce (sat) - это (читать далее...)

Дискретные MOSFET

Металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор (МОП-транзистор) - это транзистор,который используется для управления переключением высоких частот силовых электронных систем. IXYS предлагает различные технологии MOSFET, основанные на требованиях заказчика к напряжению, коммутации и частоты. Таблица, дающая схематическое представление наших основных предложений MOSFET, приведена ниже: Trench/Trench2 Power Polar/PolarP2/PolarP3 Power X-Class Power Q3-Class HiPerFET Extended FBSOA Linear Power Depletion-Mode (normally (читать далее...)