SiC Дискретный MOSFET транзистор, 1200В, 25А, выводной, LSIC1MO120E0080

 

LSIC1MO120E0080
Наличие
Нет на складе
Под заказ
По запросу
Цена за 1 шт.
Запрос цены
Сообщить о поставке
Тип
Дискретные MOSFET
Производитель
181
Rds(on)
80 мОм
Id(on)
25 А
Pd
214 Вт
Поделиться:
Специальная цена

Для реализации вашего проекта мы можем предложить специальные условия поставки на различные группы товаров. Подробности можете уточнить у вашего менеджера.

Технические характеристики

Параметр
Значение
Категория
Артикул
LSIC1MO120E0080
Тип
Производитель
Rds(on)
Id(on)
Pd
Vds
Кристалл (Si/SiC)
Схема
Все характеристики
Тип монтажа
Продукт является серией
t°С - Диапазон рабочих температур
Подобрать похожие

Описание

SiC Дискретный MOSFET транзистор, 1200В, 25А, выводной