AST Technology

Shenzhen AST Technology Co., Ltd.
Китайский производитель силовых полупроводниковых приборов на основе карбида кремния (SiC). Компания основана в 2017 году, зарегистрированный капитал — 62,2 млн юаней. Штаб-квартира расположена в Ханчжоу (провинция Чжэцзян), производственные мощности — в Шэньчжэне.

www.astsic.com/

Китай

Shenzhen AST Technology Co.EN_V3.4_20250808.pdf

pdf

5 MB

О производителе

Компания AST предлагает полную экосистему компонентов на основе карбида кремния: от дискретных транзисторов в различных корпусах до мощных модулей для тяговых инверторов и готовых плат управления . Сочетание собственного производства чипов, высокой надёжности (IATF 16949, AEC-Q101) и мирового уровня параметров (чипы 1200 В / 10 мОм) делает AST сильным кандидатом для замены устаревших IGBT-решений и кремниевых MOSFET в разработках следующего поколения

Ключевые особенности:

Специализация: полный цикл разработки — от проектирования SiC-чипов до производства силовых модулей.
Статус: Национальное высокотехнологичное предприятие, входит в реестр (National Little Giant Enterprise).
Сертификаты:
IATF 16949 (автомобильная промышленность)
AEC-Q101 (надёжность компонентов для автомобильной электроники)
ISO 9001, ISO 45001, ISO 14001.
Интеллектуальная собственность: более 100 заявок, получено 44 патента на конструкцию чипов, технологию изготовления и оборудование.

Технологические преимущества

Линейка напряжений: 650В, 900В, 1200В, 1700В, 2000В, 3300В серийном производстве
Прогрессивные чипы 1200В/10 мОм, 1700В/14 мОм (4-е поколение) — мировой уровень
Выход годных кристаллов > 90% на испытаниях пластин (CP)
Объём поставок SiC-транзисторов > 6 млн шт. (уровень дефектности <30 ppm)
Объём поставок SiC-модулей > 20 000 шт. (нулевой уровень дефектов для авиакосмической отрасли, > 3 лет в электромобилях)
Производственная мощность 100 000 SiC-мостов в год; перспективное расширение до 500 000 – 1 000 000 шт./год
Тестирование надёжности у заказчиков > 2 000 часов (аварийность — 0%)

Технологии в разработке:

Сверхнизкое пороговое напряжение = 12 В;
Высоковольтная технология (≥ 6500 В)
Двусторонний корпус с золотым покрытием
Монолитная интеграция SiC MOSFET + диод Шоттки (SBD)
Платформа 8-дюймовых пластин

Области применения продукции

Компания реализует стратегию «Новая энергетика + AI-инфраструктура».
Электромобили (EV) (Главный инвертор, бортовое зарядное устройство (OBC), DC-DC-преобразователь, быстрые зарядные станции);
Возобновляемая энергетика (солнечные инверторы, системы накопления энергии);
промышленность и транспорт (приводы двигателей, тяговые системы, источники бесперебойного питания (ИБП));
авиация (Силовые модули для авиационной отрасли (нулевой уровень дефектов));
потребительская электроника (блоки питания, быстрая зарядка для мобильных устройств).

Преимущества замены кремния (Si) на SiC (по данным AST):

Снижение потерь до 30%
Повышение плотности мощности до 50%
Увеличение частоты переключения в 2–3 раза
Сокращение затрат на систему до 10–15%
Для тягового привода: повышение КПД до 99,8%, увеличение запаса хода электромобиля на 5–10%